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僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術 100％國產

2024-09-11 17:22
快科技
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快科技9月11日消息，據國家電力投資集團官方消息，近日，集團所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司核力創(chuàng)芯暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發(fā)中心，完成了首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產品客戶交付。

這標志著，我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。

僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術 100％國產

工程師進行晶圓離子注入生產

氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品制造過程中起著關鍵作用。

這一領域核心技術、裝備工藝的缺失，嚴重制約了我國半導體產業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。

核力創(chuàng)芯在遭遇外國關鍵技術、裝備封鎖的不利條件下，在不到3年的時間里，突破了多項關鍵技術壁壘，實現了100%自主技術、100%裝備國產化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發(fā)平臺。

首批交付的芯片產品經歷了累計近1萬小時的工藝、可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。

作者：上方文Q，來源：快科技

       原文標題 : 僅次于光刻！我國突破氫離子注入核心技術 100％國產

聲明： 本文由入駐維科號的作者撰寫，觀點僅代表作者本人，不代表OFweek立場。如有侵權或其他問題，請聯系舉報。

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