英飛凌新一代IGBT技術(shù)（IGBT 7）

為了實(shí)現(xiàn)高效率低成本，電解制氫和儲(chǔ)能系統(tǒng)對功率密度和開關(guān)頻率的要求越來越高，英飛凌新一代IGBT技術(shù)（IGBT 7）憑借微溝槽（Micro Pattern Trench）設(shè)計(jì)，成為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的核心利器。

IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。

市場應(yīng)用向高頻化與高功率密度發(fā)展的趨勢對功率半導(dǎo)體的散熱提出了前所未有的挑戰(zhàn)，因此我們準(zhǔn)備了約3萬字的功率半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)系列文章，涵蓋熱阻、結(jié)溫、熱容等多方面知識(shí)，從熱阻基礎(chǔ)到瞬態(tài)熱測量，從結(jié)溫獲取到PCB設(shè)計(jì)，為工程師的熱設(shè)計(jì)難題提供專業(yè)、權(quán)威且實(shí)用的技術(shù)參考。

此外更有豐富的IGBT技術(shù)資料、電解制氫和儲(chǔ)能系統(tǒng)培訓(xùn)PPT資料供讀者下載學(xué)習(xí)，快來探索如何通過IGBT7技術(shù)提升能效，降低系統(tǒng)成本，搶占能源新賽道先機(jī)！

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