芝能智芯出品

人形機(jī)器人從概念走向現(xiàn)實(shí)的過(guò)程中，功率系統(tǒng)成為支撐其精細(xì)控制與高密度集成的核心瓶頸。以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，正以其高頻低損、體積小、控制精度高的優(yōu)勢(shì)，在伺服控制系統(tǒng)中取代傳統(tǒng)硅基器件。

尤其在人形機(jī)器人關(guān)鍵關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、模塊集成以及整機(jī)能耗控制等方面，GaN展現(xiàn)出不可替代的價(jià)值，成為“功率神經(jīng)”的核心組成。

我們來(lái)解析GaN技術(shù)在機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)中的關(guān)鍵作用，以及相關(guān)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的典型案例，呈現(xiàn)其如何為下一代類人智能體提供核心動(dòng)能。

Part 1

 從伺服關(guān)節(jié)的需求出發(fā)：

GaN的性能優(yōu)勢(shì)如何匹配

人形機(jī)器人的技術(shù)痛點(diǎn)

人形機(jī)器人之所以具備類人的動(dòng)態(tài)特性，依賴于分布于全身40個(gè)以上的伺服電機(jī)控制系統(tǒng)，這些系統(tǒng)承擔(dān)著類似人類肌肉與神經(jīng)的功能。尤其是在手指、脖頸、髖關(guān)節(jié)等精密運(yùn)動(dòng)部位，電機(jī)控制回路的響應(yīng)速度與精度決定了整個(gè)機(jī)器人運(yùn)動(dòng)的自然度與穩(wěn)定性。

傳統(tǒng)的硅基MOSFET在高頻率下的開關(guān)損耗大，難以滿足空間緊湊、電源集中布置、高頻精控等多重要求。

GaN器件天然具有更高的開關(guān)速度與更小的輸入/輸出電容值。例如，在手指抓取玻璃杯這一動(dòng)作中，電機(jī)需要在0.1秒內(nèi)完成從靜止到500rpm的加速過(guò)程，控制回路必須支持至少幾十kHz以上的PWM頻率。

在MOSFET中，這種高頻操作下熱損與EMI問(wèn)題普遍，往往需更大體積的冷卻結(jié)構(gòu)輔助。而GaN器件可以在100kHz乃至更高頻率下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行，系統(tǒng)損耗較硅下降85%以上，同時(shí)不引入額外溫升。

除了頻率響應(yīng)，GaN在尺寸壓縮方面優(yōu)勢(shì)同樣顯著。以直徑不到10厘米的關(guān)節(jié)腔體為例，若使用硅基器件，相關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、傳感器、減速器、電源電容等模塊難以完整裝入。

而GaN通過(guò)小尺寸封裝、集成驅(qū)動(dòng)器等手段，實(shí)現(xiàn)50%以上的面積縮減。以英諾賽科為例，其實(shí)際產(chǎn)品在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)電路板上，通過(guò)GaN實(shí)現(xiàn)整板尺寸減少近半，并在效率維持前提下解決了空間布局問(wèn)題。

控制方面，GaN器件具備更短的死區(qū)時(shí)間（僅10-20ns），相比MOSFET約1μs的時(shí)間，大幅度降低了電機(jī)電流波動(dòng)，并且沒(méi)有反向恢復(fù)電流（Qrr），避免了傳統(tǒng)體二極管的EMI干擾。這些特性使得多電機(jī)協(xié)同控制時(shí)的穩(wěn)定性顯著提升。

在標(biāo)準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)中，如TI的TIDA-010936平臺(tái)測(cè)試顯示，PWM頻率從20kHz提升到80kHz后，GaN平臺(tái)可用全陶瓷電容替代傳統(tǒng)電解電容，在提升可靠性的同時(shí)，大幅縮減了直流母線部分體積，這對(duì)高速、高震動(dòng)環(huán)境下的人形機(jī)器人尤其關(guān)鍵。

在三相驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，TI的LMG2100系列芯片提供一個(gè)代表性解決方案：其將高壓半橋GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成封裝，在4.5×5.5mm的尺寸內(nèi)提供最高55A電流支持，同時(shí)集成短路保護(hù)、欠壓保護(hù)等功能。

基于此類平臺(tái)構(gòu)建的伺服驅(qū)動(dòng)器，不僅電路簡(jiǎn)化、布板緊湊，還因寄生電感大幅降低而增強(qiáng)抗干擾性能，顯著適配機(jī)器人極限尺寸與高密度設(shè)計(jì)需求。

由此可見，從響應(yīng)速度、控制精度、空間集成到能耗管理，GaN器件均對(duì)人形機(jī)器人提供了跨代技術(shù)支撐。

GaN FET技術(shù)之所以在人形機(jī)器人中獲得優(yōu)先采用，關(guān)鍵在于其在高頻開關(guān)、低損耗、小型封裝和高功率密度等方面全面滿足了伺服控制系統(tǒng)的需求。尤其是在復(fù)雜多自由度電機(jī)布局下，GaN成為打通機(jī)器人控制精度與體積受限矛盾的關(guān)鍵一環(huán)。

Part 2

GaN應(yīng)用案例剖析：

EPC91118的實(shí)際集成設(shè)計(jì)

在人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈中，上海智元的選擇為GaN的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用打開了實(shí)質(zhì)通路。其在人形機(jī)器人中選用英諾賽科GaN芯片，并首先部署于脖頸、手肘等關(guān)鍵關(guān)節(jié)，單電機(jī)內(nèi)嵌三顆GaN器件，帶動(dòng)整個(gè)整機(jī)的模塊化應(yīng)用。

這一實(shí)踐標(biāo)志著GaN在從消費(fèi)電子向工業(yè)級(jí)系統(tǒng)過(guò)渡過(guò)程中實(shí)現(xiàn)從樣品驗(yàn)證走向大規(guī)模交付。

另一例子是EPC推出的EPC91118參考設(shè)計(jì)。該平臺(tái)基于EPC23104單片集成GaN器件，專為人形機(jī)器人關(guān)節(jié)開發(fā)，尺寸控制在直徑55mm內(nèi)，輸出支持最高15A RMS電流，并運(yùn)行于100kHz高頻PWM模式，死區(qū)時(shí)間低至50ns。

電機(jī)控制板集成了三相GaN逆變器、磁編碼器、電流檢測(cè)、微控制器、RS485通信和多種電源模塊。

其最大的工程價(jià)值在于三點(diǎn)：

◎ 第一，集成度極高�？刂葡到y(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電路、電源管理和反饋通道全部封裝在一個(gè)緊湊的圓形PCB中，極大簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度；

◎ 第二，結(jié)構(gòu)適配性強(qiáng)。模塊可直接安裝在人形關(guān)節(jié)腔體內(nèi)，無(wú)需額外傳動(dòng)或配線，顯著優(yōu)化關(guān)節(jié)體積利用率；

◎ 第三，效率提升顯著。在50至150rpm轉(zhuǎn)子速度下實(shí)測(cè)，系統(tǒng)效率在不同負(fù)載扭矩下均維持穩(wěn)定，這在高速響應(yīng)與低功耗雙重約束下具有現(xiàn)實(shí)工程意義。

在開發(fā)與測(cè)試階段，EPC91118通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)RS485總線實(shí)現(xiàn)通信，并支持JTAG調(diào)試，大大便利工程師調(diào)試流程。

同時(shí)，使用MLCC替代電解電容的設(shè)計(jì)理念，不僅縮減體積，也為系統(tǒng)帶來(lái)更高可靠性，符合機(jī)器人對(duì)壽命與穩(wěn)定性的雙重要求。

從整機(jī)角度看，這類GaN參考設(shè)計(jì)不僅解決了單一器件替代問(wèn)題，更代表了一種新型運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái)的實(shí)現(xiàn)方式。GaN不再只是一個(gè)單一的性能提升選項(xiàng)，而成為機(jī)器人電驅(qū)系統(tǒng)設(shè)計(jì)邏輯的一部分。

小結(jié)

人形機(jī)器人的商業(yè)化邊界逐漸明晰，控制精度、能源效率與空間集成度成為其落地應(yīng)用的技術(shù)“卡脖子”點(diǎn)。GaN技術(shù)的出現(xiàn)，實(shí)質(zhì)上為這一系列核心難題提供了具備系統(tǒng)性突破可能的底層解決方案。

它不僅是更小、更快、更省電的替代材料，更是在尺寸受限、控制精度要求極高的伺服場(chǎng)景中，GaN與人形機(jī)器人之間的共進(jìn)將構(gòu)成一個(gè)正向循環(huán)：機(jī)器人對(duì)能效與集成的需求越高，GaN的滲透率越強(qiáng)；而GaN在成本、工藝、可靠性方面持續(xù)進(jìn)化，又將反過(guò)來(lái)催化機(jī)器人設(shè)計(jì)形態(tài)的革新。

       原文標(biāo)題 : GaN技術(shù)如何應(yīng)用到人形機(jī)器人執(zhí)行關(guān)節(jié)？