存儲芯片庫存高企致價跌三成,中國芯片逆勢擴張將取更多市場份額
去年全球還在高呼芯片短缺,今年以來諸多芯片行業(yè)就陸續(xù)出現(xiàn)芯片供給過剩,近期分析機構(gòu)指出存儲芯片行業(yè)庫存高企導(dǎo)致芯片價格暴跌,已較年初下滑三成,業(yè)界擔(dān)憂存儲芯片價格將繼續(xù)下跌。
存儲芯片庫存高企在于多項因素造成的,首先就是需求下跌,今年以來對存儲芯片需求較大的PC和手機都出現(xiàn)銷量下滑,其中手機的銷量下滑最為明顯,一季度全球市場的手機出貨量下滑8.9%,直接導(dǎo)致中國手機企業(yè)砍單2.7億部,隨后三星也被傳出砍單5000萬。
其次是芯片產(chǎn)能增加,由于2020年以來的芯片供應(yīng)短缺,全球幾大存儲芯片企業(yè)都在加緊擴張產(chǎn)能,2019年的時候全球最大的存儲芯片企業(yè)三星就曾宣布將向西安工廠投資80億美元擴張產(chǎn)能,提升它在全球存儲芯片市場的占有率,如今這些存儲芯片企業(yè)的新建生產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn)。
中國大陸剛進入存儲芯片行業(yè)不久的長江存儲和合肥長鑫也在這幾年陸續(xù)投產(chǎn),目前它們的NAND flash、DRAM存儲芯片都已上市銷售一年多,業(yè)界預(yù)期長江存儲將在今年取得全球存儲芯片市場超7%的市場份額而超越Intel成為第六大NAND flash廠商,中國廠商進入存儲芯片行業(yè)也大幅增加了存儲芯片的產(chǎn)能。
再次是技術(shù)的升級推動了存儲芯片的供應(yīng)量大幅增長,過去數(shù)年全球NAND flash存儲芯片從32層3D NAND發(fā)展到128層 3D NAND,單位體積的GB容量增長了三倍多,技術(shù)的快速升級在推動產(chǎn)量增長的同時也不斷降低成本。
一方面是需求的顯著下滑,另一方面則是技術(shù)升級和產(chǎn)能增加,最終導(dǎo)致了如今的存儲芯片供應(yīng)過剩已相當(dāng)嚴(yán)重,特別是NAND flash的供應(yīng)過剩尤為嚴(yán)重,業(yè)界人士指出部分存儲芯片企業(yè)的存儲芯片已堆積如山,然而存儲芯片企業(yè)是無法停止生產(chǎn)的,因此庫存只會越來越嚴(yán)重。
在此時中國大陸的兩大存儲芯片企業(yè)的二期項目正如火如荼推進,其中長江存儲的二期項目預(yù)計今年底就能投產(chǎn)。據(jù)合肥長鑫和長江存儲披露的信息顯示它們的二期項目產(chǎn)能將是目前投產(chǎn)產(chǎn)能的兩倍,這意味著它們的二期項目在明年全數(shù)投產(chǎn)后,中國的存儲芯片產(chǎn)能將再增加兩倍。
在當(dāng)前存儲芯片進入下行周期之際,中國存儲芯片逆周期擴張,此舉對于中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)來說或許是好事,因為中國的芯片制造成本比美日韓同行更低,在下行周期,誰的成本更低就更容易獲利。
逆周期擴張的策略最先是三星采用的,三星在存儲芯片市場多次推進逆周期擴張,導(dǎo)致日本存儲芯片企業(yè)的市場份額日益萎縮,日本的存儲芯片企業(yè)爾必達更因此而破產(chǎn),最終成就韓國企業(yè)在全球存儲芯片市場取得第一名,中國存儲芯片如此做可望復(fù)制三星的路徑。
相比起韓國的存儲芯片企業(yè),中國的存儲芯片企業(yè)更有中國制造兜底,畢竟中國制造需要大量存儲芯片,無論中國兩家存儲芯片企業(yè)生產(chǎn)多少,國內(nèi)市場都能消化,這更是中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的底氣,可以預(yù)期中國存儲芯片將很快突圍而出,在全球存儲芯片市場奪取更多市場份額,甚至在未來數(shù)年有望挑戰(zhàn)韓國存儲芯片企業(yè)。
原文標(biāo)題 : 存儲芯片庫存高企致價跌三成,中國芯片逆勢擴張將取更多市場份額
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